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经营范围
发明名称
Method of Forming Transistor of Semiconductor Device Using Double Patterning Technology
摘要
申请公布号
KR100876806(B1)
申请公布日期
2009.01.07
申请号
KR20060067914
申请日期
2006.07.20
申请人
发明人
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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