| 发明名称 |
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE MEDIANTE RICRISTALLIZZAZIONE EPITASSIALE DI TRANSISTORI AD EFFETTO DI CAMPO A GATE ISOLATO CON GIUNZIONI A PROFONDITA' MINIMA. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8523356(D0) |
申请公布日期 |
1985.12.23 |
| 申请号 |
IT19850023356 |
申请日期 |
1985.12.23 |
| 申请人 |
SGS MICORELETTRONICA S.P.A. |
发明人 |
LAURA MEDA |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/20;H01L21/225;H01L21/3215;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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