对半导体基底上之半导体装置实施湿式清洗程序以降低氧化层生成之方法

摘要

本发明提供一种应用于半导体制程、可有效清洗半导体基底并避免化学氧化层形成于其上之清洗程序。该清洗程序包括以一氢氟酸溶液进行处理，以一纯硫酸溶液进行处理，以一双氧水溶液进行处理，以一去离子水进行处理，以及以一盐酸溶液进行处理。纯硫酸溶液之浓度达95％或以上。待盐酸处理步骤后，矽表面上的化学氧化层可减少5埃或更多。本发明特别适用于具有多种闸氧化层厚度之半导体装置。