发明名称 薄膜之制法、及薄膜
摘要 本发明之薄膜制法系在卷出高分子基材后,使金属蒸气化,在高分子基材表面上形成无机物层时,导入氧气,在含有有机矽化合物之气体激发环境中,形成无机化合物层之薄膜制法。本发明之薄膜制法,可以制造对氧气、水蒸气等具有高气蔽性之薄膜。
申请公布号 TW200630496 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW094136253 申请日期 2005.10.18
申请人 东丽股份有限公司 发明人 广田草人;立石康
分类号 C23C14/06;B32B29/00 主分类号 C23C14/06
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本