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发明名称
薄膜之制法、及薄膜
摘要
本发明之薄膜制法系在卷出高分子基材后,使金属蒸气化,在高分子基材表面上形成无机物层时,导入氧气,在含有有机矽化合物之气体激发环境中,形成无机化合物层之薄膜制法。本发明之薄膜制法,可以制造对氧气、水蒸气等具有高气蔽性之薄膜。
申请公布号
TW200630496
申请公布日期
2006.09.01
申请号
TW094136253
申请日期
2005.10.18
申请人
东丽股份有限公司
发明人
广田草人;立石康
分类号
C23C14/06;B32B29/00
主分类号
C23C14/06
代理机构
代理人
何金涂;何秋远
主权项
地址
日本
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