发明名称 二段式深沟渠制造方法
摘要 二阶段式制造深沟渠之方法包含,进行第一阶段之蚀刻步骤,以去除一部份之基底后形成一沟渠至一第一预定深度。接着,以热氧化方式加热该基底,以形成一氧化薄膜于该沟渠侧壁上。最后,再进行第二阶段之蚀刻步骤,其系去除该沟渠下方之部份该基底,以形成一深沟渠至一第二预定深度。
申请公布号 TW200814237 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW095134290 申请日期 2006.09.15
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 张宏隆;林义雄;徐凯源
分类号 H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼