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发明名称
二段式深沟渠制造方法
摘要
二阶段式制造深沟渠之方法包含,进行第一阶段之蚀刻步骤,以去除一部份之基底后形成一沟渠至一第一预定深度。接着,以热氧化方式加热该基底,以形成一氧化薄膜于该沟渠侧壁上。最后,再进行第二阶段之蚀刻步骤,其系去除该沟渠下方之部份该基底,以形成一深沟渠至一第二预定深度。
申请公布号
TW200814237
申请公布日期
2008.03.16
申请号
TW095134290
申请日期
2006.09.15
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
张宏隆;林义雄;徐凯源
分类号
H01L21/8242(2006.01)
主分类号
H01L21/8242(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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