发明名称 WET-PROCESS CERIA COMPOSITIONS FOR SELECTIVELY POLISHING SUBSTRATES, AND METHODS RELATED THERETO
摘要 화학-기계적 연마 조성물 및 기판의 연마 방법이 개시된다. 연마 조성물은 습식-공정 세리아 연마 입자 (예를 들어, 120 ㎚ 이하), 1종 이상의 알콜 아민, 1000의 분자량을 가지며 1개 이상의 친수성 모이어티 및 1개 이상의 소수성 모이어티를 갖는 1종 이상의 계면활성제, 및 물을 포함하며, 여기서 상기 연마 조성물은 6의 pH를 갖는다. 연마 조성물은, 예를 들어 임의의 적합한 기판, 예컨대 반도체 산업에서 사용되는 폴리규소 웨이퍼를 연마하는데 사용될 수 있다.
申请公布号 KR20160070092(A) 申请公布日期 2016.06.17
申请号 KR20167011915 申请日期 2014.09.30
申请人 CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION 发明人 REISS BRIAN
分类号 C09G1/02;B24B1/00;C09K3/14;H01L21/304;H01L21/3105;H01L21/321 主分类号 C09G1/02
代理机构 代理人
主权项
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