ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法

摘要

半導体構造部のコーナー近傍から部に伸展するＸ型のクラックだけでなく、部分に生じる点状のクラックの発生をも抑制した高品質のＩＩＩ族窒化物半導体素子、および該ＩＩＩ族窒化物半導体素子を効率的に製造する方法を提供する。本発明のＩＩＩ族窒化物半導体素子は、支持体１４６Ａと、この支持体１４６Ａ上に設けられる、横断面の形状が略四角形の２つの半導体構造部１１４と、を有し、２つの半導体構造部１１４は、それぞれの１つの側面１５０Ａ同士が向かい合って位置し、支持体１４６Ａが、半導体構造部１１４における４つの側面のうち残りの３つの側面１５０Ｂ，１５０Ｃを覆うことを特徴とする。