| 主权项 |
1﹒一种平面型光耦合器之制造方法,此光耦合器系由一聚合物薄膜制造而其有任何可选择的几何形状,其中,该薄膜系位于一板片上,并由一预热的压印工具来将其施压压印戊所需形状。3﹒如申请专利范围第1项中所述之光耦合器之制造方法,其中该压印方法包括压力压印,贯穿压印或双侧压印。3﹒如申请专利范围第1项中所述之光耦合器之制造方法,其中,该压印工具在紧接压印程序之前先被预热至超过欲被压印之薄膜材料之玻璃转变温度之一温度。4﹒如申请专利范围第1项中所述之光耦合器之制造方法,其中,该聚合物薄膜系由聚甲基丙烯酸甲酯,聚碳酸盐或聚对苯二甲酸乙二酯所组成。5﹒如申请专利范围第1项中所述之光耦合器上型造方法,其中,于压印处理之后,薄膜即被涂覆以具有较薄膜材料为低之折射系数之瓷漆。6﹒如申请专利范围第5项中所述之光耦合器之制造方法,其中,系使用可紫外线硬化的或可热硬化的瓷漆。7﹒如申请专利范围第1项中所述之光耦合器上制造方法,其中,该薄膜系由三层所组成,其上面层及下面层之折射系数较其中,间暗为低,8﹒如申请专利范围第7项中所述之光耦合器之制造方法,其中,该上面及下面层具有位于从1﹒32至1﹒49范围内之一折射系数,中该中间层则具有从1﹒35至1﹒59范围内之一折射系数。9﹒如申请专利范围第1项中所述之方法,其中,薄膜材料在80至300℃之范围内之一温度下具有10至106Pa﹒s之一特定黏性。10﹒如申论专利范围第1项中所述之方法,其中,当该光钢合器为Y耦合器时,此耦合器具右4至6dB范围内之插入损失,而当该光耦合器为星形耦合器时,此耦合器具有3﹒0至18﹒0dB范围内之插入损失,11﹒如申请专利范围第1项中所述之光耦合器之制造方法,其中,当薄膜为单层薄膜时,此薄膜民有0﹒25至1﹒0mM范围内之一厚度;而当薄膜为三层薄膜时,此薄膜具有从0﹒25至1﹒5mm范围内之一厚度。 |
