发明名称 Procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur à résistance inverse contrôlée et élément semi-conducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé
摘要
申请公布号 CH416846(A) 申请公布日期 1966.07.15
申请号 CH19640010654 申请日期 1964.08.14
申请人 COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE 发明人 ROQUEJOFRE,ROGER;CHOFFART,PIERRE;CLAUDE SOLERA,JEAN
分类号 H01L21/00;H01L23/48;H01L23/482;H01L29/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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