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发明名称
Procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur à résistance inverse contrôlée et élément semi-conducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé
摘要
申请公布号
CH416846(A)
申请公布日期
1966.07.15
申请号
CH19640010654
申请日期
1964.08.14
申请人
COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE
发明人
ROQUEJOFRE,ROGER;CHOFFART,PIERRE;CLAUDE SOLERA,JEAN
分类号
H01L21/00;H01L23/48;H01L23/482;H01L29/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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