| 发明名称 | 可调节击穿电压而不增加寄生电容的二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一轻掺杂n型半导体层(12)被外延生长在一重掺杂n型半导体衬底(11)上。在n型半导体层(12)中,使二极管(20)在重掺杂n型杂质区(13)与重掺杂p型浅杂质区(14)之间形成主p－n结(a),在轻掺杂n型半导体层(12)与轻掺杂p型深保护环(15)之间形成另一个p－n结(b),其中,另一个p－n结(b)的面积大于主p－n结(a)的面积,这样就可在不增加由另一个p－n结(b)所决定的寄生电容的情况下对击穿电压进行调节。 | ||
| 申请公布号 | CN1328346A | 申请公布日期 | 2001.12.26 |
| 申请号 | CN01115946.4 | 申请日期 | 2001.06.06 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 吉武知信 |
| 分类号 | H01L29/866 | 主分类号 | H01L29/866 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1.一种二极管，包括：具有第一导电类型的第一半导体层(14/15；14)，以及具有与上述与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层(12/13)，其特征在于，上述第二半导体层含有多个掺杂浓度不同的区域(12/13)，从而形成了多个导电特性相互不同的结(a/b；a/c)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||