发明名称 RHOMBOHEDRAL POLYCRYSTALLINE BORON NITRIDE AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION
摘要 Un nitrure de bore rhomboédrique polycristallin à densité élevée et de très haute pureté comportant essentiellement des cristaux rhomboédriques et présentant un triple axe de symétrie (un axe parallèle à l'axe c suivant une représentation hexagonale) orienté dans une direction, est obtenu sous la forme d'une masse arbitraire ou d'un film mince par un procédé chimique de déposition de vapeur consistant à introduire du bore natif à l'état gazeux et de l'azote natif à l'état gazeux et, éventuellement, un diluant et un gaz vecteur dans un réacteur pourvu d'une base chauffée pour déposer du nitrure de bore sur la base, tout en apportant de l'azote natif à l'état gazeux et/ou une couche support de diffusion gazeuse autour de la base chauffée. Le nitrure de bore ainsi obtenu est très utile pour les semiconducteurs, creusets de fusion, divers cribles à haute température, isolateurs haute-fréquence, ouvertures pour transmission de microondes, et comme source de bore pour les semiconducteurs et, en outre, optimal comme précurseur de nitrure de bore cubique en phase de haute pression.
申请公布号 WO8605169(A1) 申请公布日期 1986.09.12
申请号 WO1986JP00095 申请日期 1986.02.27
申请人 RESEARCH DEVELOPMENT CORPORATION OF JAPAN;MATSUDA, TOSHITSUGU;NAKAE, HIROYUKI;HIRAI, TOSHIO 发明人 MATSUDA, TOSHITSUGU;NAKAE, HIROYUKI;HIRAI, TOSHIO
分类号 C01B21/064;C04B35/583;C04B35/5831;C23C16/34;C30B35/00;(IPC1-7):C01B21/064 主分类号 C01B21/064
代理机构 代理人
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