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发明名称
使用原子层沈积方法形成材料层之方法
摘要
本发明揭示一种使用一原子层沈积(ALD)方法在一处理工具之一处理腔室中形成一材料层之方法。在一说明性实施例中,该方法包括识别该材料层之一目标特征,确定一用于在ALD方法期间将一前驱气体引入至处理腔室中以于该材料层中产生该目标特征之前驱脉冲时间,及执行包含复数个步骤之ALD方法,其中将该前驱气体引入至腔室中历时该所确定之前驱脉冲时间以藉此形成该材料层。
申请公布号
TW200814154
申请公布日期
2008.03.16
申请号
TW096119976
申请日期
2007.06.04
申请人
麦克隆科技公司
发明人
尼尔 鲁格;约翰 史密斯
分类号
H01L21/205(2006.01)
主分类号
H01L21/205(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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