高效能绝缘栅双极电晶体及其制作方法

摘要

高效能绝缘栅双极电晶体包含：一第一导电型基板；复数沟渠，形成于该第一导电型基板底面；复数第一导电型掺杂区，形成于该些沟渠之底面；一第二导电型掺杂区，形成于该第一导电型基板底面；及一第一导电型场截止掺杂区，位于第一导电型基板内部且距离第一导电型基板底部有一场截止深度，其中该场截止深度大于沟渠深度。由于复数第一导电型掺杂区及第二导电型掺杂区间隔有一段距离，所以可以抑制侧向稽纳二极体于基板底面形成且增进绝缘栅双极电晶体之性能。

主权项

一种高效能绝缘栅双极电晶体制作方法，包含下列步骤：(a)提供一第一导电型基板，并在该基板之正面制作半导体元件；(b)使用保护层盖住该半导体元件之正面；(c)在第一导电性基板背面进行第一导电型离子布植，以在一场截止深度处形成第一导电型场截止离子布植层；(d)于该第一导电性基板背面形成多数沟渠，其中沟渠之深度小于该场截止深度；(e)于该第一导电性基板背面进行第一导电型离子布植，以在该些沟渠底部形成第一导电型离子布植图案；及(f)于该第一导电性基板背面进行离子布植，以在该基板背面形成第二导电型离子布植层。