| 摘要 |
Dans un capteur d'image à pixels actifs en technologie CMOS formé dans un substrat d'un premier type de conductivité P, chaque pixel comprend un élément photosensible PHD produisant des charges sous l'effet de la lumière et une structure de multiplication de charges EM. La structure de multiplication comprend au moins une grille isolée de multiplication G1, G2 adjacente à une diode auto-polarisée DI à un potentiel interne fixe Vbi, et la grille isolée est adaptée à recevoir une série d'alternances de potentiels, créant alternativement sous la grille isolée, un puits de recueil des charges et une barrière, relativement au niveau de potentiel interne de la diode DI. La grille isolée et la région semi-conductrice sous la grille isolée sont configurées de manière que le puits de recueil de charges créé sous la grille comporte deux parties, une première partie a, adjacente à la diode auto-polarisée, à un niveau de potentiel plus éloigné du niveau de potentiel interne de photodiode que celui d'une deuxième partie b, cette deuxième partie étant ou non adjacente à la diode auto-polarisée. |
