| 主权项 |
1﹒一种制造半导体记忆胞的方法,包含以下步骤:形成一场氧化物、一闸、且形成一CVD矽氧化层、其后之垫矽氮化物及一垫矽氧化层的贮积层,及式样化之以形成一埋藏接点;进一步包含以下步骤;形成及式样化第一聚合矽层和一为弄平表面之绝缘层;依序形成第二聚合矽层及矽氧化层于整个表面上;依序使用等向性乾蚀刻法蚀刻该矽氧化层及该第一,第二聚合矽层;使用湿蚀刻法,移去一边矽氧化层,一为弄平表面之绝缘层及一垫矽氮化层;形成一介电膜;形成第三聚合矽层及式样化之以形成胞平板;及形成一绝缘层且蚀刻之而形成一接点,且形成一位元线。3﹒一种制造半导体记忆胞的方法,包含以下步骤:形成一场氧化物及一交换电晶体;形成一聚合矽层且式样化之使仅保留预定部位而形成一位元线,一矽氧化层及一边墙;进一步包会以下步骤;依序形成一聚合矽层,一矽氧化层及,一矽氮化层于整个表面上;式样化该矽氧化层及该矽氮化层,及形成一掺杂过之聚合矽层而藉由等向性乾蚀刻法式样化之,使仅保留侧边;使用湿蚀刻法移去该矽氮化层,及形成一掺杂过之聚合矽层,而使用等向性乾蚀刻法式样化以形成山峰形状之储存节点聚合矽顶部;及使用湿蚀刻法移去该矽氧化层,及形成一介电摸和胞平板。图示简单说明:图1(A)至1(F)是先前技术中,制造贵重堆叠电容胞结构之半导体记忆胞之过程的图示。图2(A)至2(C)是本发明第一实施例中,制造半导体记忆胞之过程的图示。图3(A)至3(H)是本发明第二实施例中,制造半导体记忆胞之过程的图示。 |
