PROGRAMMABLE WORD LENGTH AND SELF-TESTING MEMORY IN A GATE ARRAY WITH BIDIRECTIONAL SYMMETRY

摘要

Il est possible d'augmenter considérablement la facilité et la versatilité de l'implantation de fonctions logiques dans des circuits prédiffusés CMOS semi-personnalisés en disposant des cellules de noyau (62, 67) dans des circuits prédiffusés autour d'un plan (18) de symétrie spéculaire. Ces circuits prédiffusés sont conçus pour être symétriques dans deux sens orthogonaux. Une configuration de mémoire utile dans des applications générales et surtout dans des circuits prédiffusés, est conçue pour fonctionner avec une longueur des mots programmable. La longueur des mots est programmée en choissant une option appropriée de masque métallique de circuit intégré à utiliser dans la configuration du circuit de mémoire sur une entrée du bus de données et sur la topographie de sortie. Au cas où la mémoire est entièrement incluse dans un circuit intégré à grande échelle, tel qu'un circuit prédiffusé, une configuration supplémentaire de circuit est conçue pour fournir un auto-contrôle de l'opérabilité d'une telle mémoire entièrement incluse sans qu'il soit nécessaire de prévoir des broches d'entrée/sortie en communication avec la mémoire (70) au autres signaux extérieurs de contrôle. L'auto-contrôle est actionné en appliquant un seul signal extérieur de départ à une seule broche de circuit extérieur (ligne 206). Une indication de défaillance à n'importe quel point d'un cycle complet d'auto-contrôle de la mémoire est associée à une deuxième broche extérieure de défaillance (208). Dans le protocole d'auto-contrôle utilisé, un compteur interne (216) génère les adresses de chaque lieu d'implantation de la mémoire et enregistre cette adresse comme une donnée dans le lieu d'implantation de la mémoire, et l'inverse de l'adresse comme une donnée. Dans chaque cas, ce que l'on a inscrit dans la mémoire est comparé à ce que l'on lit par la suite dans la mémoire afin de valider l'opérabilité de la mémoire.