半导体器件的隔离方法

摘要

半导体器件隔离法包括：形成多层结构；刻出有源区隔离区；形成沟道阻挡区；除去氮化层上的多层结构形成覆盖氧化层；除去氮化层多晶硅层上的多层结构形成隔离层，并在侧壁形成分隔层；形成控制极氧化层和控制极；形成第二导电扩散区。形成隔离层采用CVD和光刻法，不致因应力产生鸟嘴现象和位错。分隔层防止沟道阻挡区与离子注入杂质形成的扩散区接触。本发明的隔离极限达正微米范围，避免沟道狭窄效应，提高击穿电压。

主权项

1、半导体器件的一种隔离方法，其特征在于，该方法包括下列步骤： 形成多层结构，它包括在第一导电半导体衬底上生长氧化物层之后，形成至少一层多晶硅层和接着是一层氮化物层； 从多层结构(不包括多晶硅层)中除去预定的各部分，由此刻划出有源区和隔离区； 以离子注入方式在衬底的整个表面上注入第一导电杂质，以便在隔离区形成沟道阻挡区； 除去氮化物层上的多层结构，然后将预定厚度的多晶硅层氧化，形成覆盖氧化物层； 除去隔离区上的氮化物层和多晶硅层，然后除去覆盖氧化物层和有源区上的氧化物层，以此来形成隔离层； 在结构的整个表面淀积氧化物层，并再次将其加以蚀刻，以此在隔离区侧壁形成分隔层； 在有源区的衬底上形成控制极氧化物层； 在控制极氧化物层上形成控制极电极；以及 在各控制极电极底下的沟道区两侧分别形成第二导电扩散区。