| 主权项 |
1.一种可用以自一非晶矽层在一基板上面形成一多晶矽层之方法,其特征为包括:在其非晶矽层上方布置一遮罩,此遮罩系具有多个之透射区域,此等多个之透射区域,系在一第一方向中,以及在一大体上垂直于此第一方向之第二方向中,彼此相间地布置成一梯阶形配置,每一透射区域,系具有一中央部分,和一些沿其第一方向与此中央部分之相对端部相邻的第一和第二侧部,以及其中之每一部分,系具有一沿其第一方向之长度,和一沿其第二方向之宽度,以及其中之第一和第二部分的宽度,系沿其第一方向自其中央部分逐渐缩小;透过其遮罩,使一雷射光束首次照射至其非晶矽层上面,以便形成多个对应于该等多个透射区域之首次照射区域,每一首次照射区域,系具有一中央部分,和一些与其中央部分之相对端部相邻的第一和第二侧部;使该等基板和遮罩彼此相对而移动,以使每一透射区域之第一侧部,与每一首次照射区域之中央部分相重叠;以及透过其遮罩,使一雷射光束二次照射至该非晶矽层上面,以便形成多个对应于该等多个透射区域之二次照射区域。2.如申请专利范围第1项之方法,其中遮罩,进一步系具有一可遮蔽其雷射光束之屏蔽区域。3.如申请专利范围第1项之方法,其中每一透射区域的中央部分,系具有一大体上呈矩形之形状,以及其中之每一透射区域的第一和第二侧部,系具有一锥形。4.如申请专利范围第3项之方法,其中每一透射区域的中央部分系具有:一些大体上与其第一方向相平行之第一和第二长侧部,和一些大体上与其第二方向相平行之第一和第二短侧部,其中之第一和第二长侧部,系具有一第一长度,以及其中之第一和第二短侧部,系具有一第二长度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中相邻之第一和第二侧部间的最近距离,系大至足以使一完全熔融所致一横越其最近距离之区域内的结晶,避免在该等相邻之第一和第二端部中间形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中基板系在移动,以及其遮罩系静止。7.一种用以形成一多晶矽层有关之雷射设备所需的遮罩,其特征为包括:多个之透射区域,此等多个透射区域,系沿一第一方向布置成一梯阶形配置,以及系沿一第二方向彼此相间隔,每一透射区域,系具有一中央部分,和一些在上述中央部分之两侧部处的第一和第二侧部;以及一可用以遮蔽此雷射设备之雷射光束的屏蔽区域。8.如申请专利范围第7项之遮罩,其中第一方向,大体上系与其第二方向相垂直。9.如申请专利范围第8项之遮罩,其中每一透射区域的中央部分,系具有一大体上呈矩形之形状,以及其中每一透射区域的第一和第二侧部,系具有一锥形。10.如申请专利范围第9项之遮罩,其中每一透射区域的中央部分系具有:一些大体上与其第一方向相平行之第一和第二长侧部,和一些大体上与其第二方向相平行之第一和第二短侧部,其中之第一和第二长侧部,系具有一第一长度,以及其中之第一和第二短侧部,系具有一第二长度。11.一种可用以自一非晶矽层形成一多晶矽层之设备,其特征为包括:一雷射,其可照射上述之非晶形层,藉以形成一多晶形层;以及一遮罩,其系具有一屏蔽区域和多个之透射区域,其中之多个透射区域,系被安排成一梯阶形配置,以及其中之每一透射区域,系具有一中央部分,和一些与上述之中央部分相邻而在此中央部分之相对侧部上面的第一和第二部分。12.如申请专利范围第11项之设备,其中第一和第二部分系呈锥形。13.如申请专利范围第11项之设备,其中第一与第二部分系呈三角形。14.如申请专利范围第11项之设备,其中中央部分系呈矩形。15.一种可用以自一非晶矽层在一基板上面形成一多晶矽层之方法,其特征为包括:在其非晶矽层上方布置一遮罩,此遮罩系具有多个之透射区域,此等多个之透射区域,系在一第一方向中,以及在一大体上垂直于此第一方向之第二方向中,彼此相间地布置成一梯阶形配置,每一透射区域,系具有一沿其第一方向使通过一大致固定之雷射能量密度的中央部分,和一些沿其第一方向与此中央部分之相对端部相邻的第一和第二侧部,以及其中之每一侧部,系沿其第一方向使通通一离其中央部分逐渐降低之雷射能量密度;透过其遮罩,使一雷射光束首次照射至其非晶矽层上面,以便形成多个对应于该等多个透射区域之首次照射区域,每一首次照射区域,系具有一中央部分,和一些与其中央部分之相对端部相邻的第一和第二侧部;使该等基板和遮罩彼此相对而移动,以使每一透射区域之第一侧部,与每一首次照射区域之中央部分相重叠;以及透过其遮罩,使一雷射光束二次照射至该非晶矽层上面,以便形成多个对应于该等多个透射区域之二次照射区域。16.如申请专利范围第15项之方法,其中遮罩,进一步系具有一可遮蔽其雷射光束之屏蔽区域。17.如申请专利范围第15项之方法,其中每一透射区域的中央部分,系具有一大体上呈矩形之形状,以及其中之每一透射区域的第一和第二侧部,系具有一锥形。18.如申请专利范围第17项之方法,其中每一透射区域的中央部分系具有:一些大体上与其第一方向相平行之第一和第二长侧部,和一些大体上与其第二方向相平行之第一和第二短侧部,其中之第一和第二长侧部,系具有一第一长度,以及其中之第一和第二短侧部,系具有一第二长度。19.如申请专利范围第15项之方法,其中相邻之第一和第二侧部间的最近距离,系大至足以使一完全熔融所致一横越其最近距离之区域内的结晶,避免在该等相邻之第一和第二端部中间形成。20.如申请专利范围第15项之方法,其中基板系在移动,以及其遮罩系静止。21.一种可用以自一非晶矽层在一基板上面形成一多晶矽层之方法,其特征为包括:在其非晶矽层上方布置一遮罩,此遮罩系具有多个之透射区域,此等多个之透射区域,系在一第一方向中,以及在一大体上垂直于此第一方向之第二方向中,彼此相间地布置成一梯阶形配置,每一透射区域,系沿其第一方向,具有一沿此第一方向大致固定之雷射能量密度,而逐渐降低至一接近其透射区域之端部使其非晶矽层不会完全熔融的値;透过其遮罩,使一雷射光束首次照射至其非晶矽层上面,以便形成多个对应于该等多个透射区域之首次照射区域,每一首次照射区域,系具有一完全熔融部分,和一不会因照射其非晶矽层之雷射能量密度而完全熔融的部分;使该等基板和遮罩彼此相对而移动,以使每一透射区域之第一侧部,与每一首次照射区域之中央部分相重叠;以及透过其遮罩,使一雷射光束二次照射至该非晶矽层上面,以便形成多个对应于该等多个透射区域之二次照射区域。22.如申请专利范围第21项之方法,其中遮罩,进一步系具有一可遮蔽其雷射光束之屏蔽区域。23.如申请专利范围第21项之方法,其中每一透射区域的中央部分,系具有一大体上呈矩形之形状,以及其中之每一透射区域的第一和第二侧部,系具有一锥形。24.如申请专利范围第23项之方法,其中每一透射区域的中央部分系具有:一些大体上与其第一方向相平行之第一和第二长侧部,和一些大体上与其第二方向相平行之第一和第二短侧部,其中之第一和第二长侧部,系具有一第一长度,以及其中之第一和第二短侧部,系具有一第二长度。25.如申请专利范围第21项之方法,其中相邻之第一和第二侧部间的最近距离,系大至足以使一完全熔融所致一横越其最近距离之区域内的结晶,避免在该等相邻之第一和第二端部中间形成。26.如申请专利范围第21项之方法,其中基板系在移动,以及其遮罩系静止。27.一种用以形成一多晶矽层有关之雷射设备所需的遮罩,其特征为包括:多个之透射区域,此等多个透射区域,系沿一第一方向布置成一梯阶形配置,以及系沿一第二方向彼此相间隔,每一透射区域,系具有一沿其第一方向使通过一大致固定之雷射能量密度的中央部分,和一些沿其第一方向与此中央部分之相对端部相邻的第一和第二侧部,以及其中之每一侧部,系沿其第一方向使通过一离其中央部分逐渐降低之雷射能量密度;以及一可用以遮蔽此雷射设备之雷射光束的屏蔽区域。28.如申请专利范围第21项之遮罩,其中第一方向,大体上系与其第二方向相垂直。29.如申请专利范围第28项之遮罩,其中每一透射区域的中央部分,系具有一大体上呈矩形之形状,以及其中之每一透射区域的第一和第二侧部,系具有一锥形。30.如申请专利范围第29项之遮罩,其中每一透射区域的中央部分系具有:一些大体上与其第一方向相平行之第一和第二长侧部,和一些大体上与其第二方向相平行之第一和第二短侧部,其中之第一和第二长侧部,系具有一第一长度,以及其中之第一和第二短侧部,系具有一第二长度。图式简单说明:第1图系一可显示一依据其习知技术之依序横向凝固方法有关的设备之结构的概要图;第2A至2C图系一些可显示一非晶矽因一依据上述习知技术所致之结晶状态的示意平面图;第3图系一可显示一依据上述习知技术之依序横向凝固方法有关的遮罩之图案形状的示意平面图;第4A至4D图系一些可显示一非晶矽因一依据上述习知技术之依序横向凝固方法所致的结晶状态之示意平面图;第5A图系一可显示一依据本发明之一实施例的依序横向凝固方法有关之遮罩的图案形状之示意平面图;第5B图系第5A图之部分G的放大图;第5C图系一可显示一依据本发明之一实施例的雷射照射状态之示意平面图;第6A图系一可显示一依据本发明之另一实施例的依序横向凝固方法有关之遮罩的图案形状之示意平面图;第6B图系一可显示一依据本发明之另一实施例的遮罩之多个透射区域间的位置上之关系的示意平面图;而第6C图则系一可显示一依据本发明之另一实施例的雷射照射状态之示意平面图。 |
