于记忆体储存元件侧壁具有间隔物之记忆体装置及其相关方法

摘要

本发明揭示一种形成记忆体装置之方法，其可包括在一基板上形成一绝缘层，及穿过该绝缘层之至少一部分形成一第一电极。可在该第一电极上形成一记忆体储存元件以使该第一电极位于该记忆体储存元件与该基板之间；且可在该记忆体储存元件上形成一第二电极以使该记忆体储存元件位于该第一与第二电极之间。于形成该记忆体储存元件及于形成该第二电极之后，可在该记忆体储存元件之侧壁上形成绝缘间隔物。于形成该等绝缘间隔物之后，可在该第二电极上、该等绝缘间隔物上及越出该等绝缘间隔物之绝缘层上形成一互连线。文中亦阐述了相关记忆体装置。