发明名称 半导体晶圆识别
摘要 本发明提供一半导体晶圆(10),一种在一半导体晶圆(10)上提供资讯之方法、一种半导体晶圆(10)以及读取装置之系统,以及一种从半导体晶圆(10)读取资讯之方法。本发明之特征在于磁性装置(14)作为资讯载体以及相对之磁性感应器(26)以读取该资讯。
申请公布号 TWI256720 申请公布日期 2006.06.11
申请号 TW091122347 申请日期 2002.09.27
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 卡尔 莫兹;杰森 席克斯
分类号 H01L23/544 主分类号 H01L23/544
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种在半导体晶圆(10)上提供至少一带有半导体 品圆识别资讯之区域之方法, 其特征为下列步骤 - 提供半导体晶圆(10)以及 -提供具磁性装置(14)之至少一区域,其中该磁性装 置(14)藉由磁性离子(16)之离子植入提供。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该磁性装置(14 )在接近半导体晶圆边缘(24)放置。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该磁性装置(14 )放置在半导体晶圆表面之内部区域,其中具有磁 性读取能力之真空夹头装置可夹住该半导体晶圆( 10)。 4.如申请专利范围第1项之方法,其特征为使用至少 一膜层(20,22)覆盖磁性装置(14)之步骤。 图式简单说明: 图1系为由先前技艺技术所标记的半导体晶圆之概 略剖面检视图; 图2系为根据本发明具有磁性性质之半导体晶圆之 一第一具体实施例的剖面检视图; 图3系为根据本发明具有磁性性质之半导体晶圆之 一第二具体实例之剖面检视图; 图4系为根据本发明之一系统之剖面检视图;以及 图5系为根据本发明之一系统之顶端检视图。
地址 美国