发明名称 METHOD OF MAKING ION IMPLANTED DIELECTRIC ENCLOSURES
摘要 A method of producing electrical isolation between semiconductor devices diffused in a substrate by ion implantation of various species of gases around the semiconductor devices, forming insulating dielectric cups.
申请公布号 US3663308(A) 申请公布日期 1972.05.16
申请号 USD3663308 申请日期 1970.11.05
申请人 NAVY USA 发明人 JOHN EDMUND DAVEY
分类号 H01L21/00;H01L21/265;H01L21/76;H01L23/29;(IPC1-7):H01L7/54 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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