| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有: 半导体元件; 第1金属导体,形成有与前述半导体元件之第1电极 电性连接的外部端子; 第2金属导体,形成前述半导体元件的主电流所流 通的外部端子;及 导电性的配线图案,形成在绝缘基板上,以电性连 接前述第2金属导体和前述半导体元件之第2电极; 且 以使前述第2金属导体和前述半导体元件间之作为 电流路径之前述配线图案的配线长度为比前述第1 金属导体与前述半导体元件间的距离还短的方式, 配置前述第2金属导体和前述半导体元件。 2.一种半导体装置,具有: 半导体元件; 第1金属导体,形成有与前述半导体元件之第1电极 电性连接的外部端子; 第2金属导体,形成前述半导体元件的主电流所流 通之外部端子; 散热构件,装载有前述半导体元件,且使前述半导 体元件的主电流流通;及 导电性的配线图案,形成在绝缘基板上,以电性连 接前述第2金属导体和前述半导体元件之第2电极; 且 以使前述第2金属导体和前述散热构件间之作为电 流路径之前述配线图案的配线长度为比前述第1金 属导体与前述半导体元件间的距离还短的方式,配 置前述第2金属导体和前述散热构件。 3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中以 导电性材料填埋在前述第2金属导体的侧面和前述 半导体元件或前述散热构件的侧面之间,而减低前 述第2金属导体和前述半导体元件或前述散热构件 之间的电阻値。 4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中前述导 电性材料为焊料,而在前述第2金属导体和前述半 导体元件或前述散热构件的侧面上部,设有防止形 成焊料层的保护层。 5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中前 述第1金属导体系与前述半导体元件打线接合,第2 金属导体系藉由前述配线图案而电性连接在前述 半导体元件或前述散热构件,且 使前述第2金属导体的端部比前述第1金属导体的 端部突出在前述半导体元件侧,而缩短前述第2金 属导体的端部和前述半导体元件或前述散热构件 之距离。 6.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中前述第 1金属导体系与前述半导体元件打线接合,第2金属 导体系藉由前述配线图案而电性连接在前述半导 体元件或前述散热构件,且 使前述第2金属导体的端部比前述第1金属导体的 端部突出在前述半导体元件侧,而缩短前述第2金 属导体的端部和前述半导体元件或前述散热构件 之距离。 7.一种半导体装置,具有 半导体元件; 第1金属导体,形成有与前述半导体元件之第1电极 电性连接的外部端子; 第2金属导体,形成前述半导体元件的主电流所流 通的外部端子;及 散热构件,装载有前述半导体元件,且使前述半导 体元件的主电流流通;及 导电性的配线图案,形成在绝缘基板上,以电性连 接前述第2金属导体和前述半导体元件之第2电极; 且 在前述第2金属导体的侧面与前述放热构件的侧面 之间以导电性材料填埋,而减低前述第2金属导体 与前述放热构件之间的电阻値。 图式简单说明: 第1图系第1实施形态的半导体模组之模型剖视图 。 第2图系第2实施形态的半导体模组之模型剖视图 。 第3图系第3实施形态的半导体模组之模型剖视图 。 第4图系先前的半导体模组之模型剖视图。 第5图系先前的半导体模组之模型剖视图。 |
