发明名称 于制造半导体装置时的半导体晶圆之金属镶嵌构造之清洗方法
摘要 一种半导体晶圆之金属镶嵌构造之清洗方法,其包含步骤有:使用纯水来处理已经抛光过之晶圆的一制程;以及接着在未使用纯水之下处理该晶圆的一制程。
申请公布号 TW200305922 申请公布日期 2003.11.01
申请号 TW092109191 申请日期 2003.04.18
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 久保亨
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本