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发明名称
于制造半导体装置时的半导体晶圆之金属镶嵌构造之清洗方法
摘要
一种半导体晶圆之金属镶嵌构造之清洗方法,其包含步骤有:使用纯水来处理已经抛光过之晶圆的一制程;以及接着在未使用纯水之下处理该晶圆的一制程。
申请公布号
TW200305922
申请公布日期
2003.11.01
申请号
TW092109191
申请日期
2003.04.18
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
久保亨
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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