| 主权项 |
1.一种金属蚀刻机台,适用于金属层上形成有光阻图形与聚合物的晶圆,且上述金属蚀刻机台包括:一金属蚀刻模组,以上述光阻图形为罩幕,对上述晶圆的金属层施行蚀刻;一光阻去除模组,邻设于上述金属蚀刻模组,用以去除经由上述金属蚀刻模组所蚀刻上述金属层上的光阻图形;以及一清洗乾燥模组,邻设于上述光阻去除模组,且具有清洗装置及乾燥装置,分别用以清洗及乾燥经由上述光阻去除模组所去除上述光阻图形的晶圆;其特征在于:上述清洗乾燥模组更包括:一药液供应装置以及一介面活性剂供应装置,用以去除上述晶圆上的聚合物。2.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中该药液供应装置系ACT药液供应装置。3.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中该介面活性剂供应装置系NMP介面活性剂供应装置。4.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中该药液供应装置更包括有一药液循环过滤装置。5.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中该介面活性剂供应装置更包括有一介面活性剂循环过滤装置。6.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中该药液供应装置更包括有一药液升/降温控装置。7.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中该介面活性剂供应装置更包括有一介面活性剂升/降温控装置。8.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中更包括:一找平边室,用以找出上述晶圆的平边;以及一缓冲室,设置于上述找平边室与上述金属蚀刻模组之间,用以当作将位于上述找平边室内的上述晶圆移转至上述金属蚀刻模组的介面。9.如申请专利范围第8项所述的金属蚀刻机台,其中更包括:一输入暂存室,邻设于上述找平边室,用以准备将上述晶圆移转至上述找平边室;以及一输出暂存室,邻设于上述清洗乾燥模组,用以暂存上述清洗乾燥模组所移转过来的上述晶圆。图式简单说明:第1图系显示习知金属蚀刻机台的示意图;第2图系习知聚合物蚀刻机台的示意图;第3图系显示本创作之金属蚀刻机台的示意图;以及第4图系第3图中之清洗乾燥模组所包括的各装置的示意图。第5图系ACT药液供应装置中所包括的各装置示意图。第6图系NMP介面活性剂供应装置中所包括的各装置示意图。 |
