| 发明名称 | 薄膜器件的转移方法、薄膜器件、薄膜集成电路装置、有源矩阵衬底、液晶显示装置及电子设备 | ||
| 摘要 | 一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上,之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且,在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160),在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除,并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且,在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是,通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果,薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。 | ||
| 申请公布号 | CN1231065A | 申请公布日期 | 1999.10.06 |
| 申请号 | CN98800930.7 | 申请日期 | 1998.06.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 井上聪;下田达也;宫泽和加雄 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786;G02F1/136 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种薄膜器件转移方法，其特征在于包括下列步骤：在衬底上形成第1分离层的第1工序；在上述第1分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的第2工序；在上述被转移层上形成第2分离层的第3工序；在上述第2分离层上粘合一次转移体的第4工序；以上述第1分离层为界从上述被转移层去除上述衬底的第5工序；在上述被转移层的下面粘合二次转移体的第6工序；以及以上述第2分离层为界从上述被转移层去除上述衬底的第7工序；并且将包含上述薄膜器件的上述被转移层转移到二次转移体之上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||