| 发明名称 | 半导体材料、其制造方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种在SiC衬底上具有由(0001)－面梯层和(11－2n)－面台阶[n≥0]构成的阶梯表面结构的半导体材料，使用该半导体材料的半导体器件以及制造该半导体材料的方法，其中在SiC晶体的外延生长之前，在SiC衬底上形成富－碳表面，富－碳表面满足比率R＝(I<SUB>284.5</SUB>/I<SUB>282.8</SUB>)＞0.2。其中当通过X－射线光电子能谱分析器(XPS)测量时，I<SUB>282.8</SUB>(I<SUB>SiC</SUB>)是在与化学计量SiC有关的结合能(282.8eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度，以及I<SUB>284.5</SUB> (IC)是在与石墨、SiC<SUB>x</SUB> (x＞1)或Si<SUB>y</SUB>CH<SUB>1－y</SUB> (y＜1)有关的结合能(284.5eV左右)下具有峰值的C1s信号的积分强度。 | ||
| 申请公布号 | CN1956213A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610136555.4 | 申请日期 | 2006.10.25 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社;财团法人日本精细陶瓷中心 | 发明人 | 关章宪;谷由加里;柴田典义 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/36(2006.01) | 主分类号 | H01L29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谷惠敏;钟强 |
| 主权项 | 1.一种半导体材料，包括由(0001)-面梯层和(11-2n)-面台阶构成的阶梯表面结构，其中n≥0，梯层具有等于或大于40nm的宽度，台阶具有等于或大于5nm的高度。 | ||
| 地址 | 日本爱知县丰田市 | ||