| 发明名称 | 不对称的薄膜晶体管结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不对称的薄膜晶体管结构，其包含有一衬底，一半导体层以及一栅极分别设于该衬底上。该半导体层包含有一第一轻掺杂区以及一第一重掺杂区设于该栅极的一侧，一第二轻掺杂区以及一第二重掺杂区设于该栅极的另一侧。该第一轻掺杂区与该第一重掺杂区之间包含有一第一界面，该第二轻掺杂区与该第二重掺杂区之间包含有一第二界面，且其中该第一界面与其邻近的一第一栅极侧壁间的间距与该第二界面与其邻近的一第二栅极侧壁间的间距不相等。 | ||
| 申请公布号 | CN101118930A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710149011.6 | 申请日期 | 2003.08.20 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 陈坤宏 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种不对称的薄膜晶体管结构，其包含有：一衬底；一半导体层设于该衬底上，该半导体层包含有一沟道区，单一轻掺杂区以及一第一重掺杂区设于该沟道区的一侧，以及一第二重掺杂区设于该沟道区的另一侧；以及一栅极设于该衬底上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||