| 发明名称 | 薄膜图形化方法及掩膜板 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种薄膜图形化方法及掩膜板，涉及微电子技术领域，能够直接在基板上沉积形成具有孔洞的薄膜。本发明的方法包括：在基板上方放置第一掩膜板，在所述第一掩膜板的遮挡下进行第一次薄膜沉积；然后去掉第一掩膜板，在基板上方放置第二掩膜板，在所述第二掩膜板的遮挡下进行第二次薄膜沉积；其中，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均设置有与薄膜上的所述孔洞区域相对应的第一遮挡部；所述第一掩膜板的非遮挡区域与所述第二掩膜板的非遮挡区域互补后形成的图形，与所述孔洞之外的薄膜分布区域相对应。 | ||
| 申请公布号 | CN104157550B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201410364244.8 | 申请日期 | 2014.07.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 发明人 | 刘宇;闵天圭;张琨鹏;徐敬义;任艳伟 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜图形化方法，用于在基板上形成具有孔洞的薄膜，其特征在于，包括：在基板上方放置第一掩膜板，在所述第一掩膜板的遮挡下进行第一次薄膜沉积；然后去掉第一掩膜板，在基板上方放置第二掩膜板，在所述第二掩膜板的遮挡下进行第二次薄膜沉积；其中，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均设置有与薄膜上的所述孔洞区域相对应的第一遮挡部；所述第一掩膜板的非遮挡区域与所述第二掩膜板的非遮挡区域互补后形成的图形，与所述孔洞之外的薄膜分布区域相对应。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||