使用临时帽层产生受到覆盖的穿透衬底的通道

摘要

本发明涉及一种产生带有至少一个受到覆盖的通道的衬底的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连以及优选地热相连。工艺涉及在第一衬底面残余上形成沟槽以及用临时的牺牲帽层顶部上的永久层覆盖该沟槽，所述帽层在热加工步骤中分解。本发明的方法提供了去除牺牲帽层材料的分解产物，甚至在永久层存在的情况下不残留痕迹或污染的替代方法。根据本发明第一方面，由向衬底沟槽提供带孔保护层实现这一点。保护层上的孔洞为去除帽层材料分解产物留有空间。根据本发明的第二方面，从第二衬底面开覆盖沟槽以及允许通过该开口去除帽层材料提供了一种解决方案。本发明的两种方法都基于使用临时帽层的共同理念，甚至在去除临时帽层前就永久覆盖衬底开口的情况下。

主权项

1.一种产生带有至少一个受到覆盖的穿透衬底的通道的半导体衬底的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连，所述方法包括以下步骤：在第一衬底面上的通道预定位置，产生衬底沟槽；将由帽层材料构成的牺牲帽层按照构图方式应用于衬底的第一面上，从而用所述帽层材料完全覆盖、部分或完全填充衬底沟槽，所述帽层材料在阈值温度以下热稳定且在阈值温度以上分解；以及在阈值温度以下的温度，提供覆盖衬底沟槽上的牺牲帽层的覆盖层；从第二衬底面打开衬底沟槽以将沟槽转变为穿透衬底的通孔；让牺牲帽层在阈值温度以上的温度分解，并去除牺牲帽层的所有分解产物；以及从第二面在衬底沟槽中应用导电材料，以便提供延伸至第二衬底面的穿透衬底。