| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung (1) wird vorgestellt. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst: einen Halbleiterkörper (11), wobei der Halbleiterkörper (11) ein Halbleiterkörpermaterial umfasst, das einen Dotierstoff-Diffusions-Koeffizienten aufweist, der kleiner als der entsprechende Dotierstoff-Diffusions-Koeffizient von Silizium ist; mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2), wobei die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) mit Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist und eine Säulenform aufweist, die sich entlang einer Ausdehnungsrichtung (B) in den Halbleiterkörper (11) hinein erstreckt, wobei eine entsprechende Breite (D) der mindestens einen ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) kontinuierlich zunimmt; mindestens eine zweite Halbleiterzone (112), die im Halbleiterkörper (11) umfasst ist, wobei die mindestens eine zweite Halbleiterzone (112) angrenzend an die mindestens erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist. |
