| 发明名称 |
BIPOLAR AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING POLYCRYSTALLINE EPITAXIAL DEPOSITED SILICON |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3600651(A) |
申请公布日期 |
1971.08.17 |
| 申请号 |
USD3600651 |
申请日期 |
1969.12.08 |
| 申请人 |
FAIRCHILD CAMERA AND INSTRUMENT CORP. |
发明人 |
DAVID M. DUNCAN |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/20;H01L21/331;H01L21/336;H01L23/485;H01L27/00;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/808;(IPC1-7):H01L11/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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