发明名称 作为N型半导体材料之经N,N'-二环烷基取代之以为主的四羧酸二醯亚胺N,N'-DICYCLOALKYL-SUBSTITUTED NAPHTHALENE-BASED TETRACARBOXYLIC DIIMIDES AS N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIALS
摘要 一种薄膜电晶体,其包含一有机半导体材料之层,该有机半导体材料包含具有附着至各醯亚胺氮原子之经取代或未经取代之脂环系统,其视情况经推电子基取代的以为主之四羧酸二醯亚胺化合物。该等电晶体可进一步包含间隔分离的第一及第二接触构件或与该材料接触之电极。本发明进一步揭示一种用于制造一有机薄膜电晶体装置之方法,较佳地藉由昇华沈积于一基板上来制造,其中基板温度不超过100℃。
申请公布号 TW200733378 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW095142933 申请日期 2006.11.21
申请人 柯达公司 发明人 迪帕可 苏可拉;戴安C 弗瑞曼;旭比F 尼尔森;杰佛瑞T 凯利;温蒂G 艾恩
分类号 H01L29/08(2006.01);B32B27/00(2006.01);H01L29/72(2006.01);H01L51/00(2006.01);H01L51/40(2006.01) 主分类号 H01L29/08(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国
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