| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明系有关半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。揭示的半导体装置在电晶体的通道形成区域中包括以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层。在所述半导体装置中，以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。
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| 申请公布号 |
TWI535025 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW104107019 |
申请日期 |
2009.11.11 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
秋元健吾;坂田淳一郎;广桥拓也;高桥正弘;岸田英幸;宫永昭治 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/203(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其包括：包含氧化物半导体层的电晶体，其中该氧化物半导体层包含In、Ga、和Zn，其中该氧化物半导体层包含以InGaZnO4表示的晶粒，其中该氧化物半导体层中之由原子百分比所表示的Zn含量系低于该氧化物半导体层中之由原子百分比所表示的In含量，及其中该氧化物半导体层中之由原子百分比所表示的该Zn含量系低于该氧化物半导体层中之由原子百分比所表示的Ga含量。
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| 地址 |
日本 |
