| 摘要 |
고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 지지기판과 반도체 적층 구조체 사이에 위치하고, 반도체 적층 구조체를 노출시키는 적어도 하나의 홈을 갖는 보호층; 보호층과 지지기판 사이에 위치하고 적어도 하나의 홈을 채워 반도체 적층 구조체에 오믹콘택하되, 그 가장자리가 보호층과 지지기판 사이에 위치함과 아울러 반도체 적층 구조체의 가장자리와 지지기판의 가장자리 사이에 위치하는 반사 금속층; 및 지지기판과 반사 금속층 사이에 위치하고 반사 금속층의 가장자리를 덮어 반사 금속층을 둘러싸는 장벽 금속층을 포함한다. 이에 따라, 반사 금속층이 외부에 노출되는 것을 방지하면서도 반사 금속층의 가장자리 근처에서 장벽 금속층에 크랙이 발생하더라도 이 크랙이 발광 다이오드의 전기적 특성 및 신뢰성에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. |
