| 摘要 |
第１の半導体チップ（１００）と第２の半導体チップ（２００）とが接合された積層チップを有する半導体装置である。第１の半導体チップの主面上には、第１の電極パッド（１１０）と、第１の電極パッドの上に形成された第１のバンプ（１２０）とが形成されている。第２の半導体チップ（２００）の主面上には、第１のバンプと接合するように第２のバンプ（２２０）が形成されている。第１の電極パッド（１１０）は、に段差状となる開口部を有している。第１のバンプ（１２０）は、第１の電極パッド（１１０）における開口部とその周辺部との段差状に跨るように形成されたが窪んだ凹状を有する。 |
