一种NAND闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种NAND闪存器件及其制造方法，通过采用单晶硅作为浮栅，在单晶硅浮栅上生长二氧化层作为IPD氧化层，其厚度可减小到7nm左右，且质量很高，因此能够保证闪存的耦合系数和性能，还能够将NAND闪存半间距减小到20nm以下。

主权项

一种NAND闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并在衬底上形成隧穿介质层；在所述隧穿介质层上形成单晶硅浮栅；在所述单晶硅浮栅表面生长二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面形成多晶硅控制栅；其中，所述衬底为绝缘体上硅衬底，包括基底、形成于基底上的埋层介质层以及形成于埋层介质层上的单晶硅层；提供一衬底，并在衬底上形成隧穿介质层以及在所述隧穿介质层上形成单晶硅浮栅的具体包括：提供一绝缘体上硅衬底，在绝缘体上硅衬底上依次生长牺牲氧化硅层和淀积氮化硅层；光刻并刻蚀有源区，形成单晶硅浮栅结构以及其下方的隧穿氧化层；去除牺牲氧化硅层和氮化硅层。