| 主权项 |
1.一种紧密地密封的积体电路,包括:具有一个或多个接合电极垫的电路零组件;位于在一个或多个接合电极垫处打开之零组件表面上的一次钝化层;覆艺无遮盖之接合电极垫的一层或多层非腐蚀性导电层;及覆盖一次钝化层的陶瓷层,其中陶瓷层含有含矽陶瓷材料,其以包括用含有前陶瓷体含矽材料之组合物被覆电路、接着将该材料转化成陶瓷的制程加以沉积,且其中陶瓷层和导电层紧密接触。2.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中非腐蚀性导电层是由选自金、银、钨、焊锡、填充银之环氧树脂和铜的材料所制成。3.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中陶瓷层是选自氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧碳化矽、碳氮化矽、氧碳氮化矽和碳化矽。4.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中前陶瓷体含矽材料是倍半氧矽氢烷树脂。5.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中前陶瓷体含矽材料是水解或部分水解的RC_nCSi(OR)C_4-nC,其中每一个R各自是1-20个碳原子的脂肪族、脂肪环状或芳香族取代基且n是0-3。6.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中陶瓷层以一层或多层选自SiOC_2C被覆层、SiOC_2C/陶瓷氧化物层、矽被覆层、含矽碳被覆层、含矽氮被覆层、含矽氧氮被覆层、含矽碳氮被覆层和类钻石碳被覆层的另外陶瓷层加以覆盖。7.根据申请专利范围第1项之积体电路,其已互连且埋置于选自有机封装物和聚矽氧封装物的材料之内。8.根据申请专利范围第1项之积体电路,其中陶瓷层对紫外和可见光不透光。9.一种紧密地密封的积体电路,包括:具有一个或多个接合电极垫的电路零组件;位于在一个或多个接合电极垫处打开之零组件表面上的一次钝化层;覆盖接合电极垫的扩散障壁金属层;覆盖扩散障壁金属层的非腐蚀性导电层;及覆盖一次钝化层的陶瓷层,其中陶瓷层含有含陶瓷材料,其以包括用含有前陶瓷体含矽材料之成份被覆电路、接着将该材料转化成陶瓷的制程加以沉积,且其中陶瓷层和导电层紧密接触。10.根据申请专利范围第9项之积体电路,其中障壁金属层是选自钛、钛及钨之合金和氮化钛。图1是具有本发明之钝化层及非腐蚀性导电层之半导体元件的横断面。图2是具有本发明之钝化层、障壁金属及非腐蚀性导电层之半 |
