| 摘要 |
método para produzir camada de óxido cristalino em substrato, substrato e uso do substrato. a presente invenção refere-se a um método para tratar um substrato do composto semicondutor, em cujo método, sob condições de vácuo, uma superfície de um substrato de as-iii, sb-iii ou p-iii contendo in é limpa do óxido nativo amorfo e, depois disso, o substrato limpo é aquecido a uma temperatura de aproximadamente 250 a 550<198>c e oxidado pela introdução do gás oxigênio sobre a superfície do substrato. a invenção refere-se também a um substrato do composto semicondutor, e o uso do substrato em uma estrutura de um transitor tal como mosfet. |
