| 主权项 |
1.一种导光结构,系应用于直下式背光模组,该直下式背光模组系包括至少一发光元件及邻接于该发光元件下方之反射面,该导光结构系包括:光均匀化模组,系设于该发光元件之上,且包含至少一光处理层;及至少一凹槽,系凹设于该层光均匀化模组且设于该发光元件之正上方;藉此,该发光元件发射之部分光线经由该凹槽分散,避免光线局部集中于该发光元件之正上方,以提供平面化光线。2.如申请专利范围第1项所述之导光结构,其中该凹槽系具有渐变曲率所构成之圆滑弧面。3.如申请专利范围第2项所述之导光结构,其中该发光元件系为外置电极萤光灯管(EEFL, External ElectrodeFluorescent Lamp),该凹槽之长度系对应于该冷阴极管之长度。4.如申请专利范围第2项所述之导光结构,其中该发光元件系为直管型(I Type)冷阴极管(CCFL, Cold CathodeFluorescent Lamp),该凹槽之长度系对应于该冷阴极管之长度。5.如申请专利范围第1项所述之导光结构,其中该凹槽系设于该光均匀化模组之上下两表面之一。6.如申请专利范围第5项所述之导光结构,其中该凹槽系设于上表面时具有不同于设于下表面时之圆滑弧面。7.如申请专利范围第5项所述之导光结构,其中该凹槽系设于上表面,该导光结构系进一步包括对应于该凹槽之另一凹槽设于下表面,藉此,该发光元件发射之部分光线可连续经由该两凹槽产生折射分散。8.如申请专利范围第1项所述之导光结构,其中该光均匀化模组系包括扩散板。9.如申请专利范围第8项所述之导光结构,其中该光均匀化模组系进一步包括导光板,设置于该扩散板及该发光元件之间。10.如申请专利范围第9项所述之导光结构,其中该凹槽系设于该导光板之下表面。图式简单说明:第一图系为习知直下式背光模组之剖视示意图;第二图系为本创作直下式背光模组之剖视示意图;第三图系为本创作导光结构第一实施例之放大示意图;第四图系为本创作导光结构第二实施例之放大示意图;第五图系为本创作导光结构第三实施例之放大示意图;及第六图系为本创作之另一应用示意图。 |
