氮化物半导体装置的制造方法

摘要

明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体之反应炉内，使III-V族氮化物半导体的多层膜生长，该氮化物半导体装置的制造方法的特征在于包括以下步骤：以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长之步骤；及，以少于V族元素原料气体的第1原料气体流量之第2原料气体流量、和多于第1载气流量之第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长之步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。

主权项

一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体之反应炉内，使III-V族氮化物半导体的多层膜生长，该氮化物半导体装置的制造方法的特征在于包括以下步骤：以前述V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长之步骤；及，以少于前述V族元素原料气体的前述第1原料气体流量之第2原料气体流量、和多于前述第1载气流量之第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长之步骤；并且，积层前述第1氮化物半导体层与前述第2氮化物半导体层，以使供给至前述反应炉之总气体流量与前述第1氮化物半导体层于生长时的总气体流量实质上相同之方式，来使前述第2氮化物半导体层生长。