Verfahren zur Charakterisierung eines Halbleiterwafers

摘要

Verfahren zur Charakterisierung eines Halbleiterwafers, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen des Halbleiterwafers; B Bestimmen der Dotierkonzentration und/oder des Schichtwiderstandes des Halbleiterwafers; wobei in Verfahrensschritt B die Bestimmung an einem oder mehreren in einem Messbereich liegenden Messpunkt erfolgt, wobei der Messbereich innerhalb eines Randbereichs des Halbleiterwafers liegt und – der Messbereich ein Bereich mit einem Abstand kleiner 2 cm zum Rand des Wafer ist und/oder – in Verfahrensschritt B eine Messung an einer Mehrzahl von Messpunkten erfolgt, wobei die Bestimmung anhand einer Untergruppe dieser Messpunkte durchgeführt wird, welche Untergruppe aus der Gesamtgruppe der Messpunkte gebildet wird durch Vorgabe einer maximalen absoluten oder prozentualen Abweichung des Messwertes eines Messpunktes von einem maximalen Messwert des Gesamtgruppe.