半导体结晶之制造方法

摘要

一种第三族氮化物化合物半导体结晶的制造方法，该半导体结晶透过使用助熔剂之助熔剂法来成长。半导体结晶将成长于其上之基板的至少一部分系由助熔剂可溶之材料所形成。当半导体结晶成长于基板表面上时，助熔剂可溶之材料自与半导体结晶成长于其上之表面相对的基板表面溶解至助熔剂中。或者，在半导体结晶已成长于基板表面上后，助熔剂可溶之材料自与半导体结晶已成长于其上之表面相对的基板表面溶解至助熔剂中。助熔剂可溶之材料系由矽所形成。或者，助熔剂可溶之材料或基板系由错位密度高于半导体结晶之第三族氮化物化合物半导体所形成。