| 摘要 |
<p>Полезная модель относится к области выращивания монокристаллов из расплавов, в частности, к устройствам теплового узла установки выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использована в технологии выращивания монокристаллов сапфира или для выращивания кристаллов иных тугоплавких материалов. Технический результат, который может быть достигнут с помощью предлагаемой полезной модели, сводится к возможности выращивания крупногабаритных монокристаллов сапфира в условиях регулируемого теплообмена в ростовой камере установки выращивания кристаллов для обеспечения контролируемой геометрии кристалла, низких значений плотности структурных дефектов и термических напряжений в кристалле, снижения интенсивности массообмена расплава и конструкций теплового узла, увеличение срока службы теплового узла и снижение затрат на его изготовление, обеспечение экономии потребляемых энергоресурсов. Тепловой узел установки выращивания монокристаллов из расплава размещен в водоохлаждаемой камере 1, имеющей пять полостей для подачи охлаждающей воды, три полости 2, 3, 4 в обечайке и две полости 5, 6 в днище камеры 7, облегчающих настройку осевого и радиального градиентов температуры внутри теплового узла, при этом нагреватель 8 теплового узла собран из изогнутых U-образных вольфрамовых ламелей (на фиг. не обозначены), закрепленных на медных полукольцах 9, в средней и нижней частях нагревателя 8 ламели фиксируются вольфрамовыми полукольцами 10, внутри нагревателя 8 установлен тигель 11, а за нагревателем 8 размещен внутренний теплоизолирующий экран 12, выполненный из термостойкого материала с </p>
<p>низкой теплопроводностью и внешний керамический экран 13. Применяемые теплоизолирующие материалы характеризуются низкими величинами газовыделения в течение срока эксплуатации. Элементы теплового узла размещены и жестко закреплены в контейнере 14 из нержавеющей стали. Верхний экран 15 и экран-пробка 16 выполнены из керамических сегментов 17, помещенных в молибденовый контейнер 18. Нижний эrран 19 изготовлен из высокотемпературной керамики. Стойка 20 и пятак 21 изготовлены из молибдена. Пространство между нижним керамическим экраном 19 и дном камеры 1 заполнено смесью гранул 22 размером 1-5 мм из тугоплавкого металла и высокотемпературного материала с низкой теплопроводностью. Тепловой узел предназначен для выращивания крупногабаритных кристаллов сапфира диаметром 200-300 мм. ИЛ.1 1 С.П. Ф-ЛЫ</p> |
