| 发明名称 | 在硅衬底上层叠栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在硅衬底上以此顺序具有栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件；其中栅极绝缘膜包括含氮高介电常数绝缘膜，该含氮高介电常数绝缘膜具有将氮引入到金属氧化物或金属硅酸盐中的结构；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度具有在膜厚度的方向中的分布；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度达到在膜厚度的方向中的最大处的位置出现在距离硅衬底一定距离的区域中。还提供一种半导体器件的制造方法，其包含通过用含氮等离子体照射由金属氧化物或金属硅酸盐构成的高介电常数绝缘膜而进行所述氮引入的步骤。这改善了高介电常数绝缘膜的热稳定性，抑制了掺杂剂穿透，此外，阻止了与硅衬底的界面的电特性的恶化。 | ||
| 申请公布号 | CN100367513C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN03815014.X | 申请日期 | 2003.06.19 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 渡部平司;远藤和彦;间部谦三 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种在硅衬底上以此顺序层叠栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件；其中所述栅极绝缘膜包括含氮高介电常数绝缘膜，该含氮高介电常数绝缘膜具有将氮引入到金属硅酸盐中的结构；以及在所述含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度具有在膜厚度的方向中的分布；以及在所述含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度达到在膜厚度的方向中的最大处的位置出现在距离硅衬底一定距离的区域中。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||