垂直非挥发存储单元、阵列及其操作方法

摘要

本发明是一种垂直非挥发存储单元，其具有一电荷存储结构，包含一具有三个节点的电荷控制结构。实施例包含单个存储单元、所述存储单元的阵列、操作所述存储单元或所述存储单元阵列的方法。

主权项

1. 一种存储数据的非挥发存储装置集成电路，其特征在于，包含：一个或多个电荷存储结构，其具有一第一位置以存储一第一电荷存储状态及一第二位置以存储一第二电荷存储状态，所述第一电荷存储状态及所述第二电荷存储状态代表所述数据使得所述第一电荷存储状态及所述第二电荷存储状态分别代表所述数据的至少一位；一个或多个存储介电结构，其至少部分位于所述一个或多个电荷存储结构的所述第一位置与一电荷控制结构之间，至少部分位于所述一个或多个电荷存储结构的所述第二位置与所述电荷控制结构之间，至少部分位于所述一个或多个电荷存储结构的所述第一位置与一栅极电压源之间，且至少部分位于所述一个或多个电荷存储结构的所述第二位置与所述栅极电压源之间；所述电荷控制结构具有：一第一节点，其具有一第一电荷极性；一第二节点，其具有与所述第一电荷极性相反的一第二电荷极性；一第三节点，其具有所述第一电荷极性；一第一接面分隔所述第一节点与所述第二节点，所述第一接面邻近于所述一个或多个存储介电结构的一部分，至少部分介于所述一个或多个电荷存储结构的所述第一位置与所述电荷控制结构之间；一第二接面分隔所述第二节点与所述第三节点，所述第二接面邻近于所述一个或多个存储介电结构的一部分，至少部分介于所述一个或多个电荷存储结构的所述第二位置与所述电荷控制结构之间；其中所述电荷控制结构是相对于所述集成电路的一衬底垂直地安置，所以在所述非挥发存储装置的一剖面上，所述第二节点与所述第三节点较所述第一节点更远离所述衬底，且所述第三节点较所述第二节点更远离所述衬底。