| 摘要 |
본 발명은 단일 벽 탄소 나노튜브의 도핑 및 상기 도핑된 단일 벽 탄소 나노튜브를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로 보다 상세하게는 단분자가 도핑된 단일 벽 탄소 나노튜브의 제조방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 상기 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 탄소 나노튜브가 갖고 있는 금속 성분의 금속성이 감소하고 동시에 반도체 성분의 특성이 증가되어 전하 이동도 및 전류 점멸비가 향상된 박막 트랜지스터로 인쇄 전자분야에서 소자를 구축하는데 크게 기여할 것이다. |
