| 主权项 |
1.一种缺陷检出方法,为对于具备绝缘性基板,该基板上以矩阵状配置之复数的画素电极,驱动各储存装置的转换元件,并将该转换元件各个连接,而相互交叉形成扫描线及信号线的动态矩阵基板,并为对于具备该动态矩阵基板,与该动态矩阵基板对向配设以对向电极的对向基板,以及于该动态矩阵基板与对向基板之间配置有液晶层的动态矩阵液晶板之中至少对其一的缺陷检出方法,该方法之步骤包括有:将第一信号和第二信号之其中之一,施加于扫描线;而将第三信号施于信号线上,使第一信号,第二信号和第三信号具有彼此不同的波形,由第一信号具有之第一电压导通转换元件而由第2电压可使转换元件断路;该第二信号至少具有高于该第一电压之第三电压者。2.如申请专利范围第1项记载的缺陷检出方法,而以关连于前述画素电极形成的补助电容为连接于靠近该转换元件所连接的扫描线而夹着该画素电极的另一扫描线者。3.如申请专利范围第2项记载的缺陷检出方法,而以关连于前述画素电极形成的补助电容为连接于共通配线者。4.如申请专利范围第1项记载的缺陷检出方法,而以前述动态矩阵基板尚具备与信号线绝缘交叉形成的预备配线,其中该方法之步骤尚包括有:将第二信号及施加于对向电极之第四信号之其中之一,施加于预备配线,而将第二信号施加于扫描线时,将该第二信号施于预备配线,而当第一信号施加于扫描线时,可将第四信号施加至预备配线者。5.一种缺陷检出装置,为对于具备绝缘性基板,该基板上以矩阵状配置之复数的画素电极,驱动各画素电极的转换元件,并将该转换元件各个连接,而相互交形成扫描线及信号线的动态矩阵基板,并为对于具备该动态矩阵基板,与该动态矩阵基板对向配设以对向电极的对向基板,以及于该动态矩阵基板与对向基板之间配置有液晶层的动态矩阵液晶板之中至少对其一的缺陷检出装置,该缺陷检出装置包括有:分别连接至扫描线,信号线及对向电极之连接端子;用以将第一信号和第二信号其中之一施加于扫描线以及施加第三信号于信号线之检出信号施加机构,而该第一信号,第二信号和第三信号具有彼此不同的波形;以及经由连接端子用于检出该动态短阵基板的缺陷之检出机构,其中该第一信号具有使转换元件导通之第一电压以及使转换元件断路之第二电压,而该第二信号系至少具有高于第一电压之第三电压者。6.如申请专利范围第5项记载的缺陷检出装置,而以关连于前述画素电极形成的补助电容为连接于靠近该画素电极所连接的扫描线而夹着该画素电极的另一扫描线者。7.如申请专利范围第6项记载的缺陷检出装置,而以关连于前述画素电极形成的补助电容为连接于共通配线者。8.如申请专利范围第5项记载的缺陷检出装置,而以前述动态矩阵基板为具备与信号线绝缘交叉形成的预备配线,以及其中该检出信号施加机构系将第二信号及施加于对向电极之第四信号中之一,施加于预备配线,且当第二信号施加于预备配线及扫描线时,该检出机构可检出机第一种缺陷,而当第四信号施加于预备配线及对向电极时检出第二缺陷者。9.一种缺陷修补方法,为对于具备绝缘性基板,该基板上以矩阵状配置之复数的画素电极,驱动各画素电极的转换元件,并将该转换元件各个连接,而相互交叉形成扫描线及信号线的动态矩阵基板,并为对于具备该动态矩阵基板,与该动态矩阵基板对向配设以对向电极的对向基板,以及于该动态矩阵基板与对向基板之间配置有液晶层的动态矩阵液晶板之中至少对其一的缺陷修补方法,该方法之步骤包括有:检出缺陷,该检出步骤包括有将第一信号及第二信号之其中之一,施加于扫描线,而将第三信号施加于信号线,该第一信号,第二信号和第三信号系具有彼此不同的波形者,该第一信号则具有使转换元件导通之第一电压及使转换元件断路之第二电压,而第二信号则系至少具有高于第一电压之第三电压者;可据于缺陷的种类而修补缺陷者。10.如申请专利范围第9项记载的缺陷修补方法,而以关连于前述画素电极形成的补助电容为连接于靠近该画素电极所连接的扫描线而夹着该画素电极的另一扫描线者。11.如申请专利范围第10项记载的缺陷修补方法,而以关连于前述画素电极形成的补助电容为连接于共通配线者。12.如申请专利范围第9项记载的缺陷修补方法,而以前述动态矩阵基板为具备与信号线绝缘交叉形成的预备配线,其检出步骤尚包括有将第二信号及施加于对向电极之第四信号之其中之一施加于预备配线,当第二信号施加于扫描线时,该第二信号施加于预备配线,而当第一信号施加于扫描线时,该第四信号施加于预备配线者。13.如申请专利范围第4项记载的缺陷修补方法,而步骤包括有:当第三信号施加于信号线时,可将第三信号施加于预备配线者。14.如申请专利范围第8项记载的缺陷检出装置,当该检出信号施加机构将第三信号施加于信号线时,亦将第三信号施加至预备配线者。15.如申请专利范围第12项记载的缺陷修补方法,其检出步骤包括有:当第三信号施加于信号线时,可将第三信号施加至预备配线者。16.如申请专利范围第1项记载的缺陷检出方法,其第二信号之第三电压系等于第一信号之第一电压的1.5到3倍者。17.如申请专利范围第5项记载的缺陷检出装置,其第二信号之第三电压系等于第一信号之第一电压的1.5到3倍者。18.如申请专利范围第9项记载的缺陷修补方法,其第二信号之第三电压系等于第一信号之第一电压的1.5到3倍者。图示简单说明:图一表示Cs-on-Gate构造之动态矩阵基板的概略电路图。图二表示图一之动态矩阵基板一部分的扩大图。图三表示以习知技术对Cs-on-Gate构造之动态矩阵基板其缺陷检查方法所用信号波形图。图四表示Cs-on-Common构造之动态矩阵基板的概略电路图。图五表示图四之动态矩阵基板一部分的扩大图。图六以习知技术对Cs-on-Common构造之动态矩阵基板其缺陷检出方法所用信号波形图。图七表示适用本发明实施例1的动态矩阵基板之缺陷检出方法的动态矩阵基板全体的概略电路图。图八表示本发明实施例1之动态矩阵基板之缺陷检出装置的方块图。图九A,九B,九C表示使用于本发明实施例1之动态矩阵基板的缺陷检出方法及缺陷检出装置之信号波形图。图十A,十B,十C表示使用于本发明实施例1之动态矩阵基板的缺陷检出方法及缺陷检出装置之检出信号的波形图。图十一A表示依本发明实施例1检出由闸极滙流排线与源极滙流排线间竹旳泄漏构成线缺陷时之缺陷状态的模式图。图十一B表示图十一A所示线缺陷经修补之状态的模式图。图十二A,十二B,十二C表示检出闸极滙流排线与源极滙流排线间的泄漏构成之线缺陷的电压,并以表示依各个检查信号B1,B2,B3时间闸极滙流排线与源极滙流排线间有泄漏情形的闸极信号波形E之图。图十三A表示依本发明实施例1检出由预备配线与源极滙流排线间的泄漏构成线缺陷时之缺陷状态的模式图。图十三B表示图十三A所示线缺陷经修补之状态的模式图。图十四A,十四B,十四C表示检出预备配线与源极滙流排线间的泄漏构成之线缺陷时的电压,并为表示依各个检查信号B1,B2,B3时预备配线与源极滙流排线间有泄漏的情形对预备配线施加对向电极用信号C1时之源极信号波形F之图。图十五表示适用本发明实施例2之动态矩阵基板的缺陷检出方法之动态矩阵基板全体的概略电路图。图十六表示本发明实施例2之动态矩阵基板的缺陷检出装置之方块图。图十七A,十七B,十七C表示使用于本发明实施例2之动态矩阵基板的缺陷检出方法及缺陷检出装置之信号波形图。图十八A,十八B,十八C表示使用于本发明实施例2之动态矩阵基板的缺陷检出方法及缺陷检出装置之检出信号的波形图。图十九A表示依本发明实施例2检出由闸极滙流排线与源极滙流排线间的泄漏构成线缺陷时之缺陷状态的模式图。图十九B表示图十九A所示线缺陷经修补之状态的模式图。图二十A,二十B,二十C表示检出闸极滙流排线与源极滙流排线间的泄漏构成之线缺陷的电压,并为表示依各个检查信号B1,B2,B3时间闸极滙流排线与源极滙流排线间有泄漏情形的闸极信号波形E之图。图二一A表示依本发明实施例2检出由预备配线与源极滙流排线间的泄漏构成线缺陷时之缺陷状态的模式图。图二一B表示图二一A所示线缺陷经修补之状态的模式图。图二二A,二二B,二二C表示检出预备配线与源极滙流排线间的泄漏构成之线缺陷时的电压,并为表示依各个检查信号B1,B2,B3时预备配线与源极滙流排线间有泄漏的情形对预备配线施加对向电极用信号C1时之源极信号波形F之图。图二三A表示依本发明实施例2检出由补助电容用共通配线与源极滙流排线间的泄漏构成线缺陷时之缺陷状态的模式图。图二三B表示图二三A所示线缺陷经修补之状态的模式图。图二四A,二四B,二四C表示检出由补助电容用共通配线与源极滙流排线间的泄漏构成之线缺陷时的电压,并为表示依各个检查信号B1,B2,B3时于补助电容用共通配线与源极滙流排线间有泄漏情形对补助电容用共通配线施加对向电极用信号C1时之源极信号波形G之图。 |
