发明名称 PERFECCIONAMIENTO PARA MEJORAR EL VACIO EN UN SISTEMA DE VACIO MUY ELEVADO.
摘要 DISPOSICION QUE PERMITE MEJORAR EL VACIO EN UN SISTEMA DE MUY GRAN VACIO (ULTRAVACIO) QUE COMPRENDE UN RECINTO METALICO SUSCEPTIBLE DE LIBERAR GAS EN SU SUPERFICIE, QUE CONSISTE EN UN REVESTIMIENTO DEPOSITADO EN AL MENOS LA CASI TOTALIDAD DE LA SUPERFICIE DE LA PARED METALICA QUE DEFINE EL RECINTO, CARACTERIZADO PORQUE EL REVESTIMIENTO COMPRENDE TAMBIEN UNA SUBCAPA DE GETTER NO EVAPORABLE DEPOSITADO EN DICHA SUPERFICIE DE LA PARED METALICA QUE DEFINE EL RECINTO Y EN ESTA SUBCAPA, AL MENOS UNA CAPA FINA DE AL MENOS UN CATALIZADOR ELEGIDO ENTRE EL RUTENIO Y/O EL RODIO Y/O EL PALADIO Y/O EL SOMIO Y/O EL IRIDIO Y/O EL PLATINO Y/O UNA ALEACION QUE CONTIENE AL MENOS UNO DE ELLOS.
申请公布号 ES2206905(T3) 申请公布日期 2004.05.16
申请号 ES19980912350T 申请日期 1998.02.20
申请人 ORGANISATION EUROPEENNE POUR LA RECHERCHE NUCLEAIRE (CERN) 发明人 BENVENUTI, CRISTOFORO
分类号 B01J3/00;C23C14/16;C23C14/56;C23C16/44;C23C28/02;C23C30/00;(IPC1-7):B01J3/00;H01J7/18 主分类号 B01J3/00
代理机构 代理人
主权项
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