| 主权项 |
1.一种化学机械研磨方法,系配合一具有一厚度量测元件之化学机械研磨单元,用以研磨一具有多层薄膜结构之基板,其中该厚度量测元件预设有一厚度范围,该方法包含以下步骤:提供一量测光学性质、电性、磁性、温度、摩擦力或化学成分之感测元件,其中该感测元件预设有一临界强度或一运算法则(algorithm);以该研磨单元研磨该基板,同时以该感测元件测量该基板,以得一量测强度或强度变化曲线;比较该量测强度及该临界强度,或以该强度变化曲线比对该运算法则,当该量测强度大于该临界强度或该强度变化曲线符合该运算法则时,则以该厚度量测元件量测该基板厚度,得一量测厚度値;比较该预设之厚度范围与该量测厚度値,若该量测厚度値未落入该预设之厚度范围之内,则自一对照表或方程式撷取出该量测厚度値对应之所需研磨时间,其中该对照表系储存复数个量测厚度値及其对应之所需研磨时间;以及该研磨单元根据该研磨时间研磨该基板,直至该厚度値落入该预设之厚度范围内。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光学性质为折射强度或反射强度。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电性为片电阻、电容或电压。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该对照表纪录复数个厚度値及对应之所需研磨时间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该对照表之内容为系统自动收集或人为输入数据而得。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板上之多层薄膜结构为浅沟渠隔离(STI)结构。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板为矽晶圆基板。图式简单说明:图1系本发明化学机械研磨终点判断方法之流程图。图2系本发明待研磨之薄膜结构剖视图。 |
