| 主权项 |
1.一种半导体装置具有至少一薄膜电晶体用于一主动矩阵型液晶装置,该半导体装置包含:一基体;电晶体之一闸电极,设于基体上;一第一接线,设于基体上,在与闸电极同一层中;及一第二接线,在与该层不同之一层中,其中,该第一接线与第二接线相互交越,第一接线在第一接线之上及侧表面上设有第一接线之材料之氧化物,及闸电极在该闸电极之上及侧表面上设有该闸电极之材料之氧化物,其厚度与在交越处之第一接线之材料之氧化物之厚度不同。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,该第一接线包含选自矽,铝,钽,钛,钨,钼,其合金,氮化钽,氮化钛,矽化钨,及矽化钼所组之群中之材料。3.如申请专利范围第1项所述之装置,另包含:源及吸极区,在该基体上;一通道区,设于该基体上,在源及吸极区之间;及一闸绝缘层,设于通道区及闸电极之间,其中,该闸电极距源及吸极区之至少之一有一距离,以提供一偏置区于闸电极及源及吸极区之至少之一之间。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中,闸电极距源及吸极区之至少之一之距离为500至5000@fc(1.frch)8。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中,第一接线之材料之氧化物厚于闸电极之材料之氧化物。6.一种半导体装置具有至少一薄膜电晶体用于一主动矩阵型液晶装置,该半导体装置包含:一基体;一电容器,设于该基体上;一第一接线,设于该基体上,在与电容器之第一电极同一层中;及一第二接线,设于该基体上,在与电容器之第二电极同一层中,其中,第一接线及第二接线在该电容器以外之一位置B处相互交越,第一接线在该第一接线之上或侧表面上设有第一接线之材料之氧化物,及该第一电极在第一电极之上表面上设有该第一电极之材料之氧化物,其厚度与在位置B处之第一接线之材料之氧化物之厚度不同。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中,该第一接线包含选自矽,铝,钽,钛,钨,钼,其合金,氮化钽,氮化钛,矽化钨,及矽化钼所组之群中之一材料。8.如申请专利范围第6项所述之装置,其中,该第一接线之材料之氧化物厚于第一电极之材料之氧化物。9.一种用以制造包括至少一薄膜电晶体用于一主动矩阵型液晶显示装置的一种半导体装置的方法,该方法包含步骤:以一第一蔽罩选择性设于第一接线上,以氧化基体上所设之第一接线;以一第二蔽罩设于含有第一蔽罩之至少一部份之一区域上,以氧化该第一接线;移去第一蔽罩及第二蔽罩;及制造一第二接线于一区域之至少一部份上,其上之第一蔽罩由移去步骤移去。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,第一接线包含选自矽,铝,钽,钛,钨,钼,其合金,氮化钽,氮化钛,矽化钨,及矽化钼所组之群中之一材料。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,氧化步骤之至少一由阳极氧化,电浆氧化法,或热氧化法实施。12.一种用以制造包括至少一薄膜电晶体用于一主动矩阵型液晶显示装置的一种半导体装置的方法,该方法包含步骤:氧化在一第一接线之一表面上氧化并设于一基体上之该第一接线,使用一蔽罩选择性置于该第一接线上;移去设蔽罩;在该移去步骤后,制造一接触孔于该表面中一区域之至少一部份中,其蔽罩由移去步骤移去;及制造一第二接线于该接触孔之至少一部份中。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,该第一接线包含选自矽,铝,钽,钛,钨,钼,其合金,氮化钽,氮化钛,矽化钨,及矽化钼所组之群中之材料。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,该氧化步骤由阳极氧化,电浆氧化法,或热氧化法实施。15.一种用以制造一用于一主动矩阵型液晶装置的一种电路板基体的方法,该方法包括步骤:选择性蚀刻,在一第一接线之一表面上氧化并设于一基体上之该第一接线;在该蚀刻步骤后,制造一层间绝缘体于该基体上;制造一接触孔于层间绝缘体中;及制造一第二接线于该接触孔上。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中,该第一接线包含选自矽,铝,钽,钛,钨,钼,其合金,氮化钽,氮化钛,矽化钨,及矽化钼所组之群中之材料。17.一种用于一主动矩阵型液晶装置的一种电路板基体之一种方法,该方法包括步骤:一设置于一基体上的第一MIS电晶体且包含一形成于该基体上的第一通道半导体层,一形成于该第一通道半导体层之第一闸电极及一以设置于该第一闸电极之至少一侧表面上之该第一闸电极之材料作成之氧化物;及一设置于该基体上之第二MIS电晶体且包含一第二通道半导体层,一形成于该第二通道半导体层上之第二闸电极,及一以设置于该第二MIS电晶体之该第二闸电极之至少一侧表面上之该第二MIS电晶体之该第二闸电极之材料作成的氧化物,其中以该第一MIS电晶体之该第一闸电极之材料作成的该氧化物之厚度与以该第二MIS电晶体之该第二闸电极之材料作成的该氧化物的厚度不同。18.一种用于一主动矩阵型液晶装置的绝缘闸场效电晶体包含:一形成于具有一绝缘面之一基体上之半导体层,该半导体层包括至少一通道于其中;一形成于该通道上之金属层,其间隔有一该闸绝缘层;一覆盖该金属闸电极之阳极氧化物层;一夹着该通道之第一混杂区对;及各设置于相应之邻近该第一混杂区之第二混杂区。19.如申请专利范围第18项所叙述的绝缘闸场效电晶体,其中该第一混杂区为非晶态。20.一种用以切换一主动矩阵型之液晶装置中之一像素电晶体的绝缘闸场效电晶体,包含:一设置于一绝缘基体上之源极及源极;一位于该源极及该汲极之间的通道;一设置于该通道旁之闸电极,其间设有一闸绝缘层;一设置于该绝缘层并与该源极及源极串连之一电容器;其中该通道延该源极及汲极之方向扩展至该闸电极之两缘上方。21.如申请专利范围第20项所叙述之绝缘闸场效电晶体,其中该闸电极设置在该通道上。22.如申请专利范围第20项所叙述的绝缘闸场效电晶体,其中该半导体装置设置在该绝缘基体上。23.如申请专利范围第21项所叙述的半导体装置,其中该闸电极被设置以一该闸电极之表面之阳极氧化物层且界限在该通道及该源极之间,且该通道及该汲极之间的边界与该阳极氧化物层之侧表面为共同延展。图示简单说明:图1为本发明之半导体装置之断面图;图2为普通半导体装置之断面图;图3为曲线图,显示图2所示之普通半导体装置之电流电压特性;图4为曲线图,显示图1所示之创新之半导体装置之电流电压特性;图5(A)及(B)为普通主动矩阵液晶电光装置之一部份之电路图;图6为本发明之主动矩阵液晶电光装置之一部份之电路图,该装置构成本发明之实例1;图7为图6所示之创新之主动矩阵液晶电光装置之一部份之平面图;图8(A)-(F)为图6及7所示之创新之主动矩阵液晶电光装置之一部份之断面图,显示该装置之制造顺序;图9(a)及(b)为曲线图,显示薄膜电晶体之特性;图9(c)-(f)显示本发明之薄膜电晶体之工作原理;图10(A)-(D)为本发明之实例5之薄膜电晶体之断面图,显示该装置之制造顺序;图11(A)至11(C)为平面图,显示本发明之TFT之制造方法;图12(A)-(D)为本发明之实例6之薄膜电晶体之断面图,显示该装置之制造顺序;图13为本发明之实例6之主动矩阵液晶电光装置之平面图;图14为实例7之主动矩阵液晶电光装置之一部份之电路图;图15显示本发明之一制造方法;图16显示本发明之一制造方法;图17显示本发明之一制造方法;图18显示本发明可应用之例;图19显示依本发明制造一接触点之制造方法;图20显示依本发明制造一接触点之制造方法;图21显示依本发明制造一接触点之制造方法;图22显示本发明之一制造方法;及 |
